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近期，济南发布《2025年国平易近经济及社会成长规划》，提出要加速培育财产新动能，打造第三代半导体财产高地，加速推进山东中晶芯源碳化硅单晶及衬底项目、山东天岳碳化硅质料财产化项目设置装备摆设，加年夜碳化硅上下流范畴结构力度，争夺集成电路要害质料及第三代半导体项目得到国度撑持。

最近几年济南市依托政策搀扶、技能立异三木SEO-和财产链整合，第三代半导体财产出现高速成长态势。济南宽禁带半导体财产园会聚山东天岳、山东晶镓、比亚迪半导体等龙头企业，涵盖质料、芯片、器件、封测的完备财产链。

济南碳化硅范畴，以天岳进步前辈、中晶芯源等公司为代表

山东天岳进步前辈科技株式会社建立在2010年，是一家专注在碳化硅衬底质料的高科技领军企业，2022年景功登岸A股科创板。今朝该公司已经把握世界最年夜尺寸12英寸碳化硅衬底的出产技能。于SEMICON China2025展会上，天岳进步前辈全方位展示了6/8/12英寸碳化硅衬底产物矩阵,包括12英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底、12英寸导电p型和12英寸导电n型碳化硅衬底。

source：天岳进步前辈

天岳进步前辈于p型重掺杂、年夜尺寸碳化硅衬底制备等要害技能上已经取患上系列冲破，并安定把握晶体生长、缺陷节制、加工检测和部件便宜等全技能链条。

山东中晶芯源半导体科技有限公司建立在2023年05月19日，注册职位地方在山东省济南市历城区彩石街道虎山路889号，该公司专注在碳化硅（SiC）单晶衬底质料的研发、出产及发卖，其技能来历在山东年夜学晶体质料国度重点试验室，拥有20多年的碳化硅单晶衬底开发经验。

该公司与山东年夜学成立了全方位的产学研互助瓜葛，设有山东年夜学晶体质料国度重点试验室财产化基地、山东年夜学研究生结合造就基地及山东年夜学-中晶芯源碳化硅半导体结合试验室。

氮化镓范畴，以山东晶镓等公司为代表

山东晶镓半导体科技有限公司建立在2023年8月，重要从事氮化镓（GaN）自支撑单晶衬底的研发、出产及发卖。

本年4月， 媒体报导山东年夜学与山东晶镓半导体有限公司于4英寸高质量GaN单晶衬底制备方面取患上的庞大冲破：联合多孔衬底技能及应力调控计谋乐成得到了低应力、高质量的4英寸GaN单晶衬底。该4英寸GaN衬底于尺寸、晶体质量（FWHM平均值为57.91 ，位错密度为~9.6x105cm-2)、应力均一性及外貌质量方面（无毁伤、Ra 0.2 nm）均体现优秀，到达国际进步前辈程度，为高功率、高频器件的批量制备奠基了基础。

source：晶镓半导体（图为GaN衬底测试成果）

瞻望将来，跟着财产链完美及技能迭代，济南有望成为天下第三代半导体财产的焦点增加极，为海内半导体财产自立可控孝敬气力。

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