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近日，清纯半导体推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技能平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8m 。该平台经由过程专利技能及工艺完美，实现了领先国际同类产物的比导通电阻系数Rsp=2.1 m .cm ，如图1所示，进一步实现高电流处置惩罚能力及更小损耗，帮忙新能源汽车机电驱动器进一步开释SiC高功率密度和高能量转化效率潜力，提高续航里程。

图1 清纯半导体一、二、3代产物比电阻Rsp变化

该产物额定电压为1.2kV，额定电流跨越220A，室温阈值电压典型值为2.7~2.8V。图2别离给出了该芯片于常温和高温的输出特征曲线，表现了良好的导通电阻温度特征。于等效的芯单方面积下，与上一代技能比拟导通损耗降低约20%，可以或许以更高的效率、更小的封装及更高的靠得住性实现运用设计。值患上指出的是，及传统芯片迭代技能方式差别，该芯片于降低导通电阻的同时连结了与前两代相近的良好短路耐受特征。

图2 S3M008120BK芯片输出特征

于动态机能方面，该芯片于不异芯片尺寸下寄生电容进一步降低，提高了开关速率。更主要的是，产物经由过程设计和制造技能的优化，显著改善了MOSFET体二极管的反向恢复特征，峰值电流Irrm实现了近30%的降低，同时软度tb/ta获得了年夜幅优化，电压过冲Vrrm也获得了显著改善（图3）。这对于高速开关运用的损耗降低，以和多芯片并联运用的动态均流，都尤为主要。

图3 S3M008120BK芯片与2代同类产物反向恢复波形对于比

第3代产物除了了优秀的机能改良，还有继续了前两代产物于靠得住性方面的上风，包括经由过程了传统栅极靠得住性实验对于HTGB的查核、栅氧马拉松实验对于寿命评估和高压H3TRB、复合应力C-HTRB等加严靠得住性实验的测试。DRB、DGS等动态靠得住性评估成果注解：第三代产物于动态靠得住性实验先后电参数连结不变，更合适主驱等多芯片并联运用场景，以确保体系于持久利用后依然具备较优的均流特征。

清纯半导体本次推出的第三代MOSFET技能平台焦点参数和各种靠得住性三木SEO-已经经实现了与国际主流厂商最领先产物的对于标。技能的立异及产物的领先将助力公司连续为客户创造更多价值，鞭策行业的连续成长。

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