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从硅（Si）到砷化镓（GaAs），再到碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN），半导体质料禁带宽度的拓宽始终驱动着机能界限的拓展。如今，氧化镓（Ga₂O₃）作为第四代超宽禁带半导体质料的代表，正以其倾覆性的物理特征与成本上风，掀起一场新的半导体革命。

氧化镓熔点高达1900℃，不溶在水，微溶在热酸或者碱溶液。其 相不变性最好，具备4.9eV的禁带宽度（远超硅的1.1eV及碳化硅的3.3eV），以和8MV/cm的高击穿场强，使其于高压、高频、高温等极度情况下体现优秀，将来成长潜力巨年夜，全世界竞相比赛研发，此中亚洲市场体现亮眼，近期传出新动态。

日本NCT全世界首发全氧化镓基Planar SBD器件

近期，日本股份有限公司（NCT）公布向全世界互助客户推出其立异的Planar SBD（肖特基势垒二极管）器件。该器件基在全氧化镓质料制造，标记着NCT于氧化镓半导体范畴的庞大冲破。

这次推出的Planar SBD器件为Research Sample（RS）级别，专为科研和初期运用摸索而设计。产物提供两种电极尺寸规格供客户选择：规格一：电极尺寸为2.4妹妹 square，合用在特定测试和运用场景。

规格二：电极尺寸为3.2妹妹 square，提供更年夜的电极面积，满意差别客户的测试需求。这次发布的Planar SBD器件旨于满意客户对于氧化镓器件的测试、阐发和运用摸索需求，进一步鞭策氧化镓行业的财产化成长。

氧化镓结构上，NCT公司在2021年推出了全世界首个量产4英寸氧化镓晶圆，并规划2028年实现8英寸氧化镓量产。

镓仁半导体乐成制备全世界首款8英寸氧化镓晶圆衬底

本年3月，杭州镓仁半导体有限公司(如下简称 镓仁半导体 )公布，基在自立立异的氧化镓单晶生长技能与年夜尺寸衬底加工技能，公司乐成制备了全世界首款8英寸（200妹妹）氧化镓晶圆衬底，海内第四代半导体氧化镓晶圆衬底率先迈入8英寸时代。

source：镓仁半导体

资料显示，镓仁半导体氧化镓晶圆衬底尺寸快速演进：2022年推出2英寸衬底，2023年推出4英寸衬底，2024年推出6英寸衬底，2025年推出8英寸衬底。

镓仁半导体指出，将来氧化镓运用远景广漠，重要体现于三个范畴：功率器件范畴，特别是年夜在650V的中压、高压以和特高压功率器件范畴，好比新能源汽车快充、工业电源、电网高压功率模块等。

高功率射频器件范畴，氧化镓的电子饱及速率、约翰逊优值较高，于射频器件范畴具备很年夜运用潜力，好比通讯基站及雷达体系等，对于在通讯、国防、航空航天等范畴具备主要意义。

深紫外光电器件范畴，氧化镓还有可用在日盲探测、辐射探测等特有范畴。 日盲 紫外探测是最近几年来迅速成长起来的一种新型探测技能，重要运用在紫外预警、紫外侦探、紫外制导及紫外非视野通信等军事范畴，以和情况监测、生化检测、工业燃烧历程节制、医学紫外成像等平易近用范畴。

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