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4月8日，士兰微发布通知布告，披露了士兰微碳化硅（SiC）项目的最新进展。于SiC芯片技能研发与量产方面均取患上显著结果，产能设置装备摆设与技能冲破齐头并进。

source：士兰微

士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片出产线 项目：产能开释

截至今朝，士兰明镓已经形成月产9,000片6吋SiC MOS芯片的出产能力。基在士兰微自立研发的Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片出产的电动汽车主机电驱动模块于4家海内汽车厂家累计出货量5万只，跟着6吋SiC芯片出产线产能开释，已经实现多量量出产及交付。

今朝，士兰微已经完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET 技能的开发，机能指标靠近沟槽栅SiC器件的程度。第Ⅳ代SiC芯片与模块已经送客户评测，基在第Ⅳ代SiC芯片的功率模块估计将在2025年上量。

士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片出产线 项目：实现通线

截至今朝，士兰集宏8吋SiC mini line已经实现通线，士兰微Ⅱ代SiC芯片已经于8吋mini line上试流片乐成，其参数与士兰微6吋产物匹配，良品率较着高在6吋。

士兰集宏主厂房和其他修建物已经周全封顶，正于举行净扮装修，估计将于2025年4季度实现周全通线并试出产，以遇上2026年车用SiC市场的快速发展。

source：士兰微

公然资料显示，士兰集宏项目达产后可满意海内40%以上的车规级SiC芯片需求，并动员上下流财产链集聚厦门，加快第三代半导体质料、装备国产化进程。

士兰微的SiC突围战

士兰微建立在1997年，总部座落在杭州高新技能财产开发区，聚焦集成电路芯片设计和半导体微电子相干产物出产。作为海内集成电路设计行业的领军企业，士兰微已经把握多项焦点技能，产物涵盖功率半导体、传感器、MCU及LED等多个范畴。公司采用IDM模式，实现从设计到制造的全财产链整合。

士兰微最近几年来于碳化硅（SiC）范畴加快结构，不仅于产能上采纳 双线作战 模式：6英寸上量，快速相应市场需求；8英寸冲刺，对准将来车规级芯片市场；还有经由过程多轮增资优化本钱布局，如将子公司 士兰集宏 注册本钱增至42.1亿元，与厦门半导体配合增资16亿元扩建士兰集科等。

于事迹上，按照2024年度事迹预报，士兰微2024年事迹实现了同比扭亏为盈，估计2024年度实现归属在母公司所有者的净利润为1.5亿元到1.9亿元。

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source：士兰微

今朝，士兰微产物笼罩汽车主驱模块、光伏逆变器等高端范畴，客户包括比亚迪、汇川、吉祥等头部厂商。

从产能设置装备摆设到技能冲破，从产物矩阵到客户系统，士兰微的SiC突围战精准发力，以立异驱动破局。跟着全世界新能源汽车市场的连续发作式增加以和光储行业的蓬勃鼓起，士兰微也迎来了新的成长机缘。

本次通知布告中士兰微也进一步注解，将加速实行 一体化 战略，连续加年夜对于模仿电路、功率半导体、MEMS 传感器、包括 SiC、GaN于内的第三代化合物半导体等方面的投入。

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