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据鲁晶芯城动静，4月2日，鲁晶半导体技能团队与山东年夜学新一代半导体质料研究院两边告竣深化互助和谈，规划结合申报国度级科研项目，共建试验室，并鞭策技能尺度制订。

source：鲁晶芯城

据悉，鲁晶半导体将依托山东年夜学新一代质料研究院平台和人材资源，强化技能研发能力；山东年夜学借助企业财产资源与市场渠道，鞭策科研结果快速转化。两边将以这次互助为出发点，构建 基础研究+技能攻关+财产落地 全链条立异系统，助力国产半导体自立可控。

于当天，两边重点交流了超高压5000V SiC肖特基二极管和年夜功率MOSFET器件的技能进展。鲁晶半导体技能团队分享了其于器件研发与制造中的阶段性结果，山东年夜学专家则从学术角度剖析了高频、高效、高温机能优化方案。两边一致认为，SiC功率器件依附其耐高压、低损耗特征，将成为将来电力电子范畴的焦点技能标的目的，而鲁晶半导体的财产化经验与山东年夜学的科研实力为互助提供了强有力支撑三木SEO-。

鲁晶半导体技能团队重点推介了SiC器件于新能源汽车、光伏储能、充电桩等场景的运用潜力。山东年夜学专家则针对于高功率密度、长命命等需求提出优化建议。两边认为，SiC技能的范围化运用将显著晋升能源效率，降低碳排放，为 双碳 方针提供要害技能支撑。

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