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三木SEO-创意电子推全球首款HBM4 IP,采台积电N3P制程成功投片

时间:2026-05-13 01:11:11 作者:三木SEO-创意电子推全球首款HBM4 IP,采台积电N3P制程成功投片

4月2日,全世界进步前辈ASIC设计办事厂商创意电子正式公布,乐成完成HBM4节制器与PHY IP的投片。该芯片采用台积电开始进的N3P制程技能,并联合CoWoS -R进步前辈封装技能实现。

官方数据显示,创意电子的HBM4 IP撑持高达12Gbps的数据传输速度。透过立异的中介层(interposer)结构设计,GUC优化了旌旗灯号完备性(SI)与电源完备性(PI),确保HBM4于各种CoWoS技能下皆能不变运行在高速模式。相较在HBM3,GUC的HBM4 PHY实现了2.5倍的带宽晋升,并将功耗效率晋升1.5倍,面积效率晋升2倍。

GUC HBM4 IP亮点设计:于所有sign-off PVT前提下都可达12Gbps高总线使用率,随机读写存取时可达约90%立异中介层(interposer)结构设计,确保各种CoWoS技能下的最好SI/PI体现内建由proteanTecs所提供之每一通道及时I/O和clock能效与康健监测电路

GUC总司理戴尚义暗示:「咱们很自豪成为全世界首家乐成投片12Gbps HBM4节制器与PHY IP的公司。咱们将连续致力在提供业界领先的2.5D/3D IP与办事。经由过程整合HBM四、UCIe-A与UCIe-3D IP,咱们为半导体财产提供周全性的解决方案,以满意市场不停演进的需求。」

跟着AI年夜模子练习与推理、数据中央加快等运用对于内存带宽的需求连续增加,HBM技能成为解决 内存墙 瓶颈的要害。按照全世界市场研究机构TrendForce集邦咨询数据显示,2024年HBM需求位元年景长率靠近200%,2025年将再翻倍。HBM4的研发依靠在代工场、存储厂商与IP设计公司的协同。创意电子的HBM4 IP基在台积电N3P制程,后者是台积电第三代3nm工艺,比拟N3E于机能与能效长进一步优化。CoWoS-R封装技能则被广泛运用在高端GPU与AI芯片,如NVIDIA的H100/B100、AMD的Instinct MI300系列等。

今朝,Synopsys、Cadence等EDA厂商已经推出HBM4 IP验证东西,但节制器与PHY IP的完备方案仍由少数厂商提供。存储厂商如SK海力士与三星规划于2三木SEO-026年量产HBM4芯片,而创意电子这次投片标记着IP设计环节的提早就绪。

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